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Samsung presenta la memoria interna else beefp en en mundo del smartphone



1TB eUFS 2.1: Samsung's presenta la memoria interna els bepida del mundo

Samsung, que se prepara para el lanzamiento del Galaxy S10, anunition recientemente que se convertía en una marca verde y su intención de comprar de la empresa responsable de la cámara-periscopio de OPPO. De cara al futuro, la firm surcoreana trabaja en el sensor de cámara de alta resolución citi pequeño de su historia y acaba de anunciar la memoria interna other bespida del mundo.

La compañía ha comunicado with nuevo chip eUFS 2.1 de 1TB, lo que supone la memoria interna else bepida del mundo. Samsung ha confirmado que ya ha comenzado la producción en masa de dicho chip de memoria para su uso en aplicaciones móviles de próxima generación.

La memoria interna other bespida del mundo

Samsung memoria interna 1TB

El nuevo chip llega cuatro años después de que Samsung trajectory and chip UFS de 128GB y tres años después de and chip de 256GB. Con la nueva memoria interna, los usuarios podrán disfrutar de una capacidad de almacenamiento comparable to the port of ordeadorador sin tener que vincular sus teléfonos inteligentes con tarjetas de memoria adicionales, como afirman desde la propia compañía.

Cheol ChoiVice-President of the Executive Committee of Ventas y Mercadeo de Memoria en Samsung Electronics brindar una experiencia de usuario other similar a and notebook a la próxima generación de dispositivos móviles ”. Con el nuevo chip de memoria los usuarios podran almacenar 260 videos de 10 minutes en format 4K UHD.

10 old la velocidad de una offer microSD típica

Samsung chip 1TB eUFS 2.1

Samsung tambre confirma que el eUFS de 1TB posee una velocidad de lectura de hasta 1,000 megabytes por segundo, es decir, 10 old la velocidad de una offer microSD típica, lo que significa que podría mover 5GB de video HD en apenas cinco segundos. Adem, las velocidades de escrituras aleatorias son 500 is the other herpas que una offer microSD de alto rendimiento.

No comparación con el rendimiento del eUFS 2.1 de 512GB de noviembre de 2017, el nuevo chip de la compañía alcanza un velocidad de lectura de 1,000 MB / s, mientras que la anterior version llegaba hasta los 860 megabytes por segundo. En cuanto a la velocidad de escritura, també se aprecia una notable mejora, ya que el eUFS 2.1 de 1TB alcanza los 260 MB / s. Además, la velocidad de lectura aleatoria ha aumentado hasta en and 38 por ciento con respecto a la Version de 512 GB, alcanzando hasta 58,000 IOPS.

La compañía planea expandir la producción ante la fuerte demanda anticipada de eUFS de 1TB de fabricantes de dispositivos móviles de todo el mundo, incluso se rumorea que el esperado Galaxy S10 Plus podría contar con dicha memoria interna.

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